Datasheet下载- 型号： FJV4111RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4111RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4111RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4111RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4111RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4111RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4111RMTF（ON Semiconductor）是一款NPN型数字晶体管（即预偏置BJT），内置基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-发射极并联电阻（R2=10kΩ），采用SOT-23小尺寸封装。其典型应用聚焦于简化电路设计、节省PCB空间及提升可靠性。 主要应用场景包括： 1. 逻辑电平接口转换：将微控制器（如3.3V/5V GPIO）输出直接驱动中等负载（如LED、小型继电器、蜂鸣器），无需外置基极偏置电阻； 2. 开关控制电路：用于电源管理中的负载开关、背光控制、传感器使能信号等低功耗开关场景，具备快速开关特性与明确的饱和导通状态； 3. 工业与消费类电子输入级缓冲/电平整形：在按键检测、光电耦合器输出级、编码器信号调理等场合，提供抗干扰的数字开关功能； 4. 替代传统分立BJT+偏置电阻方案：显著减少元件数量、贴片工位及BOM成本，适用于高密度、低成本便携设备（如TWS耳机充电仓、智能手环、IoT传感器节点）。 该器件最大集电极电流IC=100mA，VCEO=50V，hFE（直流电流增益）典型值为160–320（IC=10mA），适合中低速（fT≈250MHz）、中小功率开关应用，不适用于线性放大或高频射频场景。其ESD防护能力（HBM≥2kV）亦满足一般手持设备可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4111RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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