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产品简介:
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FJV3111RMTF 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BRT),内置基极-发射极和基极-电阻网络(典型配置:R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),简化外围电路设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与驱动:常用于微控制器(MCU)或FPGA的GPIO口驱动中小功率负载(如LED、小型继电器、蜂鸣器),利用其内置偏置电阻实现直接逻辑电平控制(如3.3V/5V TTL输入),无需外接偏置电阻。 2. 开关应用:在消费电子(如电视、机顶盒、打印机)、家电(遥控接收模块、面板按键扫描电路)中作为高速开关,典型开关频率可达数十MHz,响应快、功耗低。 3. 信号调理与接口保护:在传感器信号调理电路中用作缓冲或电平整形;因集成电阻可限制基极电流,提升ESD鲁棒性,适合对可靠性要求较高的工业接口电路。 4. 空间受限的便携设备:采用SOT-723(1.2×0.8×0.5mm)超小型封装,适用于TWS耳机、智能穿戴、IoT模组等高密度PCB布局场景。 该器件工作电压范围宽(VCEO=50V)、IC最大达100mA,具备良好线性度与一致性,特别适合替代传统分立BJT+电阻方案,降低BOM成本与贴装面积。不推荐用于线性放大或大电流/高功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV3111RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |