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  • 型号: FJV3111RMTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3111RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3111RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3111RMTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJV3111RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3111RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FJV3111RMTF 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BRT),内置基极-发射极和基极-电阻网络(典型配置:R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),简化外围电路设计。其主要应用场景包括:

1. 数字逻辑电平转换与驱动:常用于微控制器(MCU)或FPGA的GPIO口驱动中小功率负载(如LED、小型继电器、蜂鸣器),利用其内置偏置电阻实现直接逻辑电平控制(如3.3V/5V TTL输入),无需外接偏置电阻。

2. 开关应用:在消费电子(如电视、机顶盒、打印机)、家电(遥控接收模块、面板按键扫描电路)中作为高速开关,典型开关频率可达数十MHz,响应快、功耗低。

3. 信号调理与接口保护:在传感器信号调理电路中用作缓冲或电平整形;因集成电阻可限制基极电流,提升ESD鲁棒性,适合对可靠性要求较高的工业接口电路。

4. 空间受限的便携设备:采用SOT-723(1.2×0.8×0.5mm)超小型封装,适用于TWS耳机、智能穿戴、IoT模组等高密度PCB布局场景。

该器件工作电压范围宽(VCEO=50V)、IC最大达100mA,具备良好线性度与一致性,特别适合替代传统分立BJT+电阻方案,降低BOM成本与贴装面积。不推荐用于线性放大或大电流/高功率场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FJV3111RMTF

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

频率-跃迁

250MHz

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