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产品简介:
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FJPF5021RTU 是 ON Semiconductor(安森美)出品的 PNP 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值 250)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 50 mA)、最大集电极电流 IC = 500 mA、最高集电极-发射极电压 VCEO = −40 V 等特性。 其典型应用场景包括: 1. 中小功率开关控制:如电源管理中的负载开关、LED 驱动电路(驱动多颗LED或中等亮度背光)、继电器/蜂鸣器驱动(作为电流放大级); 2. 信号电平转换与反相逻辑:在低功耗数字接口中实现 TTL/CMOS 电平至负逻辑或负压侧开关控制; 3. 模拟电路中的电流源/有源负载:在便携式传感器信号调理电路(如温度、压力传感前端)中用作恒流偏置元件; 4. 电池供电设备的省电设计:得益于低饱和压降和SOT-23小尺寸,适用于可穿戴设备、IoT节点、遥控器等对空间和功耗敏感的应用; 5. 线性稳压辅助电路:在LDO或基准源中用于电流镜、启动电路或过流保护检测支路。 需注意:该器件为PNP型,常用于高边开关或负电源路径控制,设计时应确保基极驱动能力匹配,并留足SOA(安全工作区)裕量。不推荐用于高频(>10 MHz)或大功率(连续功耗 >300 mW)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 500V 5A TO-220F |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJPF5021RTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 600mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 600mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 500V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 15MHz |