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- 型号： FJP52000TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP52000TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP52000TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP52000TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJP52000TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJP52000TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP52000TU 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的NPN型高电压、高增益达林顿晶体管（Darlington Transistor），采用TO-220封装。其典型参数包括：VCEO = 100 V，IC = 8 A（连续），hFE ≥ 1000（典型值），具备内置基极-发射极反向二极管，适用于中大功率开关与线性放大应用。 主要应用场景包括： 1. 继电器/电磁阀驱动：利用其高电流增益和低饱和压降（VCE(sat) ≈ 1.5 V @ IC=4A），可由微控制器IO直接驱动感性负载； 2. 电机控制电路：常用于直流有刷电机的单向启停或PWM调速（需配合续流二极管）； 3. 电源管理模块：如线性稳压器的调整管、过流保护电路中的电流放大级； 4. 工业控制接口板：作为PLC输出端的功率级，驱动指示灯、蜂鸣器、小型接触器等； 5. 音频功率放大器前级/驱动级：在低频、非高频要求场景中提供电流增益（但不适用于高保真音频主放大）。 注意：该器件为达林顿结构，开关速度较慢（fT约1 MHz），存在约1.4 V的基极导通阈值，设计时需预留足够驱动电压（通常≥2.5 V）及散热措施（TJ ≤ 150°C）。已停产，现多由ON Semi兼容型号（如MJD122/MJD127系列）替代。
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