Datasheet下载- 型号： FJP3835TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP3835TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP3835TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP3835TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJP3835TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJP3835TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP3835TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型通用双极结型晶体管（BJT），采用TO-220AB封装，具备高电流（IC=12A）、高电压（VCEO=100V）和良好功率处理能力（PD≈65W，带散热器）。其典型应用场景包括： - 开关电源与DC-DC转换器：用作主开关管或次级侧驱动管，适用于中小功率适配器、工业电源中的PWM控制回路； - 电机驱动电路：在直流有刷电机、步进电机的H桥或单边驱动中承担通断控制，尤其适合12–48V系统； - 继电器/电磁阀驱动：作为达林顿对前级或直接驱动负载，提供足够增益（hFE=75–150 @ IC=2A）以实现微控制器IO口低电流控制大负载； - 照明控制：用于LED恒流驱动的调整管或调光开关，支持脉宽调制（PWM）信号控制； - 工业控制与电源保护电路：如过流检测后的关断执行器件、电平转换、信号放大等基础模拟/数字接口功能。 该器件具有良好的热稳定性与可靠性，符合工业级温度范围（–65°C 至 +150°C），但需注意合理设计散热（建议加装散热片）及基极限流电阻，避免饱和压降过大导致功耗升高。不推荐用于高频射频（RF）或精密线性放大场景（因fT约3MHz，非优化模拟特性）。总体定位为经济可靠、中高功率通用开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 120V 8A TO-220 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJP3835TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 3A，4V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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