Datasheet下载- 型号： FJNS4214RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4214RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4214RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4214RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4214RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4214RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4214RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动中小功率负载（如LED、继电器线圈、小信号MOSFET栅极），实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换。 - 负载开关与电源管理：在低功耗便携设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中，作为高效、低成本的低压侧开关，控制外设供电通断，降低待机功耗。 - 信号调理与脉冲放大：适用于消费电子中的按键检测、状态指示、蜂鸣器驱动等弱信号开关场景，得益于其内置偏置电阻，可直接由3.3V/5V GPIO驱动，无需外部偏置元件。 - 工业与汽车电子辅助电路：在车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中，用于LED背光控制、故障指示灯驱动等对可靠性及温度稳定性（工作结温–55°C至+150°C）有要求的场合。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，节省PCB面积；具备良好ESD防护（HBM ≥2kV）及热稳定性，适合高密度、低成本、快速开发的设计需求。注意其最大集电极电流为100mA（连续），不适用于大功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4214RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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