Datasheet下载- 型号： FJNS4209RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4209RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4209RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4209RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4209RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4209RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4209RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电路即可直接驱动。其主要应用场景包括： • 低功耗开关控制：广泛用于便携式设备（如TWS耳机、智能手环、遥控器）中的LED指示灯、蜂鸣器、小功率继电器或MOSFET栅极驱动等信号级开关应用； • 数字逻辑接口电平转换与缓冲：在MCU/SoC GPIO驱动能力不足时，作为电流放大缓冲器，提升驱动能力并隔离负载干扰； • 消费类电子电源管理：用于电池供电设备的使能控制（EN/CTRL信号调理）、充电状态指示或负载开关的前端驱动； • 工业与家电控制板：在PLC模块、电机驱动板、智能插座等中实现低成本、高可靠性的信号开关功能。 该器件采用超小型SOT-323（SC-70）封装，尺寸仅2.0×2.1×0.9mm，适合高密度PCB布局；具备±50V VCEO、100mA IC、hFE 160–460（典型值），兼具良好线性度与快速开关特性（ton/toff约数十纳秒）。其集成电阻可简化设计、减少BOM数量、提升生产良率与长期可靠性，特别适用于对成本、空间和开发周期敏感的中低速数字开关场景。不适用于大电流、高频（>10MHz）或模拟放大等应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4209RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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