Datasheet下载- 型号： FJNS4207RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4207RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4207RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4207RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4207RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4207RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4207RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-323（SC-70）小型封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=R2=10kΩ），无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现5V/3.3V至更高电压的开关控制； 2. LED驱动：因具备内置偏置电阻，可简化电路，直接由低电流GPIO驱动，适用于指示灯、背光控制等中低电流（≤100mA）场景； 3. 信号开关与脉冲放大：在消费电子（如遥控器、传感器模块）、工业I/O模块中用作高速（f<100MHz）、低功耗开关，响应快、外围元件少； 4. 替代传统分立偏置BJT方案：显著减少PCB面积与BOM成本，提升装配可靠性，适用于空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、智能穿戴设备）。 注意：该器件非功率型，不适用于大电流、高电压或线性放大应用；最大集电极电流IC=100mA，VCEO=50V，需确保工作在开关饱和区并留有裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4207RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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