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产品简介:
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FJNS3215RBU 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-563(SC-89)超小型封装,内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型R₁=10kΩ, R₂=10kΩ),无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流信号(如3.3V/5V TTL/CMOS)放大以驱动LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极等负载; 2. 便携式电子设备的开关控制:凭借小尺寸、低功耗及内置电阻特性,广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光控制、传感器使能开关、电源通断管理等; 3. 电池供电系统的节能开关电路:支持低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA),提升能效,延长电池寿命; 4. 空间受限的嵌入式系统:SOT-563封装(1.6×1.6×0.6mm)适合高密度PCB布局,简化设计并减少BOM元件数量。 该器件不适用于高频放大或大功率开关场景(IC max = 100mA,fT ≈ 250MHz),典型工作于DC至数百kHz的开关模式。其预偏置结构显著提升设计可靠性与量产一致性,降低EMI风险。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJNS3215RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |