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  • 型号: FJNS3212RBU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3212RBU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3212RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3212RBU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJNS3212RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJNS3212RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FJNS3212RBU 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络,简化外围电路设计。其典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流逻辑信号(如3.3V/5V TTL/CMOS)放大以驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极;  
2. 开关控制电路:凭借快速开关特性(fₜ ≈ 250 MHz)及内置偏置电阻(R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ),适用于中低频(≤10 MHz)开关应用,如电源使能控制、状态指示灯控制等;  
3. 传感器信号调理前端:在光电开关、霍尔传感器等弱信号输出电路中作缓冲或电流放大级,提升驱动能力与抗干扰性;  
4. 空间受限的便携设备:采用超小型SOT-723封装(尺寸仅1.2×0.8×0.5 mm),适合可穿戴设备、TWS耳机、IoT节点等对PCB面积敏感的应用。  
该器件无需外接偏置电阻,降低BOM成本与贴片风险,提高生产良率与可靠性,特别适用于高集成度、低成本、快速开发的消费电子与工业控制场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FJNS3212RBU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

供应商器件封装

TO-92S

功率-最大值

300mW

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3 短体

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

频率-跃迁

250MHz

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