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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3210RTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3210RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3210RTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJNS3210RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJNS3210RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3210RTA 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BRT),内置基极-发射极和基极-电阻网络(典型配置:R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),采用SOT-416(SC-75)超小型封装。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流数字信号(如3.3V/5V TTL)直接驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极,省去外部偏置电阻,简化PCB设计。 2. 便携式与空间受限设备:凭借SC-75微型封装(尺寸约1.25×0.85×0.5mm),广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点等对体积和功耗敏感的场景。 3. 开关应用:具备典型hFE=160(Ic=5mA)、VCEO=50V、IC(max)=100mA参数,适用于中低速(fT≈250MHz)、中小电流(≤50mA)的开关控制,如电源使能(EN)信号调理、状态指示灯控制、负载开关前端缓冲等。 4. 成本与可靠性敏感场景:预偏置结构提升生产良率与一致性,减少贴片元件数量,降低BOM成本与组装复杂度;符合AEC-Q101(汽车级)标准,亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全相关信号调理。 注意:不适用于线性放大、高频射频或大电流连续导通场景。设计时需确认输入信号电压与内置电阻匹配,避免基极过驱动或饱和不足。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJNS3210RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |