Datasheet下载- 型号： FJNS3209RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3209RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3209RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3209RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3209RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3209RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3209RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-523超小型封装，内置基极-发射极电阻（R1）和基极-集电极电阻（R2），无需外部偏置电路。其典型应用包括： 1. 低功耗开关控制：适用于便携式设备（如TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点）中的LED驱动、蜂鸣器控制、小功率继电器/负载开关等，凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和微安级待机电流，显著延长电池寿命； 2. 逻辑电平转换与信号调理：在MCU GPIO驱动能力不足时，用作3.3V/1.8V逻辑到5V或更高电压负载的接口缓冲器，实现电平适配与电流放大； 3. 简易数字开关电路：替代分立三极管+电阻方案，简化PCB布局，提升生产良率与可靠性，常用于消费电子主板、电源管理模块中的状态指示或使能信号控制； 4. ESD敏感场景辅助保护：因集成电阻可限制基极电流，降低静电冲击风险，适合对EMC和鲁棒性有要求的工业控制面板或家电控制板。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，具备良好热稳定性，但不适用于高频放大或大电流（IC最大100mA）连续导通场景。设计时需注意其增益（hFE典型值160–400）随温度及电流变化，建议在关键应用中留足裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3209RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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