Datasheet下载- 型号： FJNS3207RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3207RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3207RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3207RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3207RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3207RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3207RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-523超小型封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 低功耗开关控制：适用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的LED驱动、蜂鸣器控制、小信号负载开关等，凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和快速开关特性（tON/tOFF < 10ns），提升能效与响应速度。 2. 数字逻辑接口电平转换/缓冲：在MCU GPIO驱动能力不足时，作为电流放大级，可靠驱动继电器、光耦或中等负载（IC(max)=100mA），同时简化PCB设计、节省空间。 3. 传感器信号调理前端：用于光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器的信号整形与隔离，利用其高直流电流增益（hFE=200–400）和良好温度稳定性，增强抗干扰能力。 4. 电池供电设备的电源管理：在低待机电流（IB≈0.1μA关断状态）要求严苛的场景中，实现负载的高效启停控制，延长电池寿命。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，具备优良的ESD防护（HBM ≥ 2kV），适合工业、汽车电子（非安全关键系统）、消费类电子等对可靠性与微型化有要求的应用。需注意其最大集电极电流为100mA，不适用于大功率驱动。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3207RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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