Datasheet下载- 型号： FJNS3205RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3205RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3205RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3205RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3205RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3205RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3205RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如STM32、PIC）IO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，因内置偏置电阻（R1=10kΩ, R2=10kΩ），可直接由3.3V/5V TTL/CMOS电平驱动，无需外接偏置电阻； 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备中用作低功耗负载开关，实现对传感器、指示灯等模块的通断控制，降低待机功耗； 3. 信号调理与接口保护：作为简单的反相器或缓冲器，配合上拉/下拉需求，在工业I/O模块、家电控制板中提升抗干扰能力； 4. 替代传统分立BJT+电阻方案：节省PCB面积、减少器件数量及贴片成本，适用于空间受限的消费电子（如TWS耳机充电仓、智能手环主板）。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）超小型封装，支持-55°C~+150°C宽温工作，具备良好ESD防护（HBM >2kV），适用于高可靠性、小体积、快上市的嵌入式系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3205RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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