Datasheet下载- 型号： FJN4307RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4307RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4307RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4307RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4307RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4307RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4307RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换，无需外接偏置电阻。 2. 通用开关应用：适用于低频开关（f<100MHz）、中低电流（IC≤100mA，VCEO=50V）场景，如电源使能控制、状态指示灯驱动、传感器信号调理中的有源开关。 3. 替代传统分立偏置方案：在空间受限的消费电子（如机顶盒、打印机、家电控制板）及工业控制模块中，可减少元件数量、提升装配可靠性与一致性。 4. 输入保护与缓冲电路：凭借内置电阻，具备一定抗静电与限流能力，适合用作前端信号缓冲或过压防护辅助器件。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低、温度特性稳定（工作结温−55°C至+150°C），但不适用于高频放大或大功率开关场景。选型时需注意其直流电流增益（hFE≈160–450）受Ic影响较大，且饱和压降（VCE(sat)≈0.15V@IC=10mA）优于普通BJT，利于降低功耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4307RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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