Datasheet下载- 型号： FJN4304RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4304RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4304RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4304RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4304RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4304RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4304RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流数字信号（如3.3V/5V TTL/CMOS）转换为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入的开关信号。 2. LED驱动电路：因具备内置偏置电阻，可直接由MCU GPIO驱动，实现恒流限幅（配合外部限流电阻），广泛用于状态指示灯、段式数码管位选驱动等低功耗显示应用。 3. 负载开关与信号切换：在便携设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中用作低成本、小尺寸的有源开关，控制电源域或信号通路，替代分立三极管+两个偏置电阻方案，节省PCB面积与BOM成本。 4. 简单脉冲放大与缓冲：适用于对开关速度要求不高（f<100 MHz）、功耗敏感的消费类电子（如遥控器、家电控制板）中的信号整形与隔离。 该器件采用SOT-23封装，支持-55°C~+150°C工作温度，具备良好热稳定性和ESD防护能力，适合空间受限、高可靠性要求的工业及汽车电子辅助电路（非安全关键系统）。注意：不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4304RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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