Datasheet下载- 型号： FJN4304RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4304RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4304RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4304RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4304RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4304RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4304RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）或FPGA的GPIO输出驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等低功率负载，利用其内置偏置实现“即插即用”开关功能，无需外接偏置电阻。 2. 通用开关应用：在消费电子（如遥控器、小家电）、工业控制板及电源管理模块中，作为低成本、高可靠性的小信号开关，工作于饱和/截止区，典型集电极电流IC ≤ 100mA，VCEO = 50V。 3. 传感器信号调理前端：配合光耦、霍尔传感器等，用于信号缓冲或电平整形，提升抗干扰能力。 4. 替代传统分立偏置BJT方案：显著减少PCB面积和BOM元件数量，提高生产良率与一致性，适用于空间受限、成本敏感的批量产品。 该器件采用SOT-23封装，具备良好热稳定性与ESD防护（HBM ≥ 4kV），工作温度范围-55℃~+150℃，适合工业及汽车后装环境。注意其不适用于线性放大或高频射频场景（fT ≈ 250MHz，但非优化设计）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4304RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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