Datasheet下载- 型号： FJN3315RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3315RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3315RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3315RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3315RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3315RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3315RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 低功耗开关控制：适用于便携式设备（如TWS耳机、智能手环）中的LED驱动、蜂鸣器启停、小功率继电器或MOSFET栅极驱动等，利用其低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和快速开关特性（ton/toff约数十纳秒）实现高效通断。 2. 数字逻辑电平接口与信号调理：在MCU GPIO驱动能力不足时，用作电平转换或电流放大缓冲器，例如将3.3V单片机IO信号可靠驱动5V负载，或反相/非反相开关应用（取决于接法）。 3. 简易传感器信号预处理：配合光敏电阻、热敏电阻等无源传感器构成分压-开关电路，实现过零检测、阈值触发等功能，无需额外偏置电阻，节省PCB空间与BOM成本。 4. 消费类电子中的状态指示与保护电路：如充电状态指示灯控制、电池电压监测的使能开关、ESD敏感电路的输入级保护开关等。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低、可靠性高，特别适合对尺寸、功耗和设计简洁性要求严苛的中低速开关应用（工作频率通常≤10MHz），不推荐用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3315RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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