Datasheet下载- 型号： FJN3303TA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3303TA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3303TA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3303TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3303TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3303TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3303TA 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款通用NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有低功耗、高增益（hFE典型值100–300）、低饱和压降（VCE(sat)约0.15V @ IC=10mA）和快速开关特性（fT ≈ 200MHz）。其典型应用场景包括： 1. 小信号放大：适用于便携式音频设备、传感器信号调理电路中的前置放大或缓冲级； 2. 逻辑电平转换与驱动：常用于MCU/IO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，实现电平匹配与电流增强； 3. 开关控制电路：在电池供电设备（如IoT节点、遥控器、智能穿戴）中用作高效低压开关，支持≤100mA集电极电流（IC=100mA, VCE=1V）； 4. 电源管理辅助功能：如LDO使能控制、充电指示、负载开关的控制级； 5. 消费类电子基础电路：电视机顶盒、机读卡设备、家用电器控制板中的信号耦合与隔离。 该器件工作温度范围为−55°C至+150°C，具备良好热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 2kV），适合高可靠性、空间受限的紧凑型设计。需注意其最大集电极-发射极电压VCEO为40V，不适用于高压或大功率场景，应避免在接近极限参数下长期运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Silicon Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJN3303TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJN3303TA |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 500mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 14 @ 500mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | FJN3303TACT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 179 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 23 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 14 |
| 系列 | FJN3303 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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