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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJE3303H1TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJE3303H1TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJE3303H1TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJE3303H1TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJE3303H1TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJE3303H1TU是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、大电流功率晶体管,常用于需要高增益和高击穿电压的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为开关或调节元件,适用于高效率、高稳定性的电源设计。 2. 照明驱动:在LED驱动电路中,尤其用于高亮度LED或工业照明系统,提供稳定的电流放大与控制功能。 3. 电机控制:可用于小型电机或继电器的驱动电路中,实现对电机启停和速度的控制,适用于家电、工业自动化等领域。 4. 音频放大:在低频或音频功率放大电路中作为输出级使用,适合对失真要求不高的中等功率音频设备。 5. 工业与消费类电子:常见于电视、显示器的水平偏转电路、脉冲宽度调制(PWM)控制电路等。 该器件具有高集电极-发射极击穿电压(VCEO达600V)、高电流承载能力及优良的热稳定性,适合在高温或高负载环境下工作。采用TO-220F封装,便于散热安装,提升系统可靠性。因其高性能和稳定性,FJE3303H1TU在工业控制、消费电子和能源系统中广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126两极晶体管 - BJT NPN 70 0V/1.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJE3303H1TU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJE3303H1TU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 500mA,1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 500mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 761 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126 |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 系列 | FJE3303 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 零件号别名 | FJE3303H1TU_NL |
| 频率-跃迁 | 4MHz |