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  • 型号: FJD3076TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJD3076TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJD3076TM价格参考。Fairchild SemiconductorFJD3076TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJD3076TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJD3076TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FJD3076TM是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、大电流功率晶体管。该器件采用DPAK(TO-252)表面贴装封装,适用于需要高可靠性和高效能的功率放大与开关应用。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为功率开关元件,支持高电压工作条件。  
2. 电机驱动:在工业控制、家用电器和电动工具的电机驱动电路中,用于控制电机启停和转速调节。  
3. 照明系统:应用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等照明设备中的控制与开关环节。  
4. 消费电子:如电视、音响设备的电源或音频输出级,承担信号放大或负载驱动功能。  
5. 工业与汽车电子:因其具备良好的热稳定性和可靠性,也适用于汽车电子系统(如风扇控制、继电器驱动)及工业自动化设备中的功率控制模块。

FJD3076TM具有高集电极电流(可达8A)、高击穿电压(VCEO=400V)和高增益特性,适合在高功率、高电压环境下稳定运行。其表面贴装封装便于自动化生产,同时具备良好的散热性能,有助于提升系统整体效率与寿命。  

综上,FJD3076TM是一款适用于中高功率开关与放大应用的通用型功率BJT,广泛服务于工业、消费类及汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 32V 2A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJD3076TM-

数据手册

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产品型号

FJD3076TM

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

800mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

130 @ 500mA,3V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FJD3076TMFSCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

270

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

系列

FJD3076

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

100MHz

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