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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJD3076TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJD3076TM价格参考。Fairchild SemiconductorFJD3076TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJD3076TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJD3076TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJD3076TM是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、大电流功率晶体管。该器件采用DPAK(TO-252)表面贴装封装,适用于需要高可靠性和高效能的功率放大与开关应用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为功率开关元件,支持高电压工作条件。 2. 电机驱动:在工业控制、家用电器和电动工具的电机驱动电路中,用于控制电机启停和转速调节。 3. 照明系统:应用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等照明设备中的控制与开关环节。 4. 消费电子:如电视、音响设备的电源或音频输出级,承担信号放大或负载驱动功能。 5. 工业与汽车电子:因其具备良好的热稳定性和可靠性,也适用于汽车电子系统(如风扇控制、继电器驱动)及工业自动化设备中的功率控制模块。 FJD3076TM具有高集电极电流(可达8A)、高击穿电压(VCEO=400V)和高增益特性,适合在高功率、高电压环境下稳定运行。其表面贴装封装便于自动化生产,同时具备良好的散热性能,有助于提升系统整体效率与寿命。 综上,FJD3076TM是一款适用于中高功率开关与放大应用的通用型功率BJT,广泛服务于工业、消费类及汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 32V 2A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJD3076TM- |
数据手册 | |
产品型号 | FJD3076TM |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 800mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 130 @ 500mA,3V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FJD3076TMFSCT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 32V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 270 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | FJD3076 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极连续电流 | 2 A |
频率-跃迁 | 100MHz |