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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF90N30由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF90N30价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF90N30封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF90N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF90N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF90N30 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(非 IGBT),采用 TO-247 封装,额定电压 300 V,连续漏极电流达 90 A(Tc = 25°C),典型导通电阻 Rds(on) 仅约 30 mΩ(Vgs = 10 V)。尽管其型号中含“FP”(Fairchild legacy),但现属 ON Semi 产品线,归类为MOSFET 单管(非 IGBT)。 主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):适用于工业/通信领域中大功率 AC-DC 或 DC-DC 转换器的主开关管,如服务器电源、基站电源; ✅ 电机驱动:用于中小功率三相逆变器(如泵、风扇、压缩机驱动)的桥臂开关,兼顾效率与开关速度; ✅ UPS 不间断电源:在在线式 UPS 的逆变输出级中承担高频硬开关任务; ✅ LED 高压驱动与调光系统:支持高电压、大电流 LED 阵列的 PWM 控制; ✅ 电磁加热与感应加热控制电路:作为谐振变换器中的高速功率开关。 该器件具备低栅极电荷(Qg ≈ 120 nC)、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力(UIS Rated),适合中高频(数十kHz 至 ~100 kHz)硬开关应用。需注意:其 300 V 耐压不适用于 400 V 以上母线系统(如 PFC 后级),设计时应留足电压裕量并优化PCB布局以抑制dv/dt噪声。 (注:该器件非 IGBT,不适用于超高压/大电流低频场景如焊机主回路或牵引变流器。)
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
| 描述 | IGBT 300V 56.8W TO220F |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 93nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGPF90N30 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.55V @ 15V,30A |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 56.8W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 0 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
| 输入类型 | 标准 |