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- 型号： FGPF30N30TDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF30N30TDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF30N30TDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF30N30TDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGPF30N30TDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGPF30N30TDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF30N30TDTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的300V、30A、TO-220F封装的N沟道功率MOSFET（非IGBT，型号中“FGP”系列为高压超结MOSFET）。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等中的主开关管，凭借低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.15Ω）和快速开关特性，提升效率与功率密度。 - DC-DC转换器：在工业或通信设备的隔离/非隔离降压（Buck）、反激（Flyback）拓扑中用作高频开关器件（工作频率可达数百kHz）。 - 电机控制：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的上/下桥臂开关，尤其适用于风扇、电动工具、家用电器等对成本与可靠性要求较高的场景。 - LED照明驱动：作为恒流源开关，支持调光（PWM或模拟）及高能效运行。 - 逆变器与UPS：在小功率离线式逆变器或后备式UPS中承担DC-AC转换环节的功率开关任务。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated）、增强型体二极管（改善换向特性）及符合RoHS的环保封装，适用于工业级温度范围（–55°C ~ +150°C），兼顾性能、鲁棒性与性价比。注意：其额定电压为300V，不适用于400V以上母线系统，设计时需留足电压裕量（建议≤240V实际工作电压）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 22ns/130ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 300V 44.6W TO220F |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 65nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGPF30N30TDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 200V, 20A, 20 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 44.6W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 22ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 输入类型 | 标准 |
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