Datasheet下载- 型号： FGPF120N30TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF120N30TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF120N30TU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF120N30TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGPF120N30TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGPF120N30TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF120N30TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220FP 封装，额定电压 300 V，连续漏极电流达 120 A（Tc=25°C），导通电阻 Rds(on) 典型值仅 14 mΩ（Vgs=10 V），具备低开关损耗与优异热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电源系统：如通信基站电源、服务器 PSU、工业 UPS 中的主开关管或同步整流器件； ✅ 电机驱动：适用于中小功率变频器、BLDC 电机控制器（如风机、泵类设备）中的逆变桥上/下臂开关； ✅ 照明电子镇流器与LED 驱动电源：在高频半桥/全桥拓扑中实现高效能量转换； ✅ 电磁加热（IH）与感应加热电源：凭借高 dV/dt 耐受能力（>4.5 V/ns）和雪崩耐量（UIS Rated），可稳定工作于硬开关谐振电路； ✅ 汽车电子辅助系统：如车载 DC-DC 变换器、电池管理系统（BMS）中的高压侧开关（需符合 AEC-Q101 可靠性要求，注意该型号为标准工业级，非车规版，实际车用需选用对应车规型号如 NVHLxx 系列）。 该器件不属 IGBT，而是增强型硅基功率 MOSFET（非 UGBT），适用于高频（数十kHz 至数百kHz）、中高压、大电流开关场景，强调效率与可靠性。设计时需注意 PCB 散热布局与栅极驱动稳定性，以充分发挥其低 Rds(on) 和快速开关优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 180A |
| 描述 | IGBT 300V 120A 60W TO220F |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 112nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGPF120N30TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.4V @ 15V，25A |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120A |
| 输入类型 | 标准 |
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