图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FGB30N6S2DT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB30N6S2DT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB30N6S2DT价格参考。Fairchild SemiconductorFGB30N6S2DT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGB30N6S2DT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGB30N6S2DT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGB30N6S2DT 是 Fairchild（现属onsemi）推出的600V、30A高压超结MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为0.12Ω）、快速开关特性及优异的体二极管反向恢复性能。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于PFC（功率因数校正）电路（如临界导通模式CrM或连续导通模式CCM PFC），提升能效并满足IEC 61000-3-2谐波标准； - 工业与家电变频驱动：适用于中小功率电机驱动器（如空调压缩机、风扇、水泵控制）中的逆变桥上管/下管； - DC-DC转换器：在高效率、高密度隔离式或非隔离式DC-DC模块（如服务器电源、通信电源二次侧同步整流辅助开关）中用作主开关； - LED驱动电源：用于高功率LED恒流驱动的降压（Buck）或升降压（SEPIC）拓扑； - 光伏微逆变器与储能系统：在单相微型逆变器DC/AC级或电池管理系统的充放电开关中提供可靠高频切换能力。 该器件内置ESD保护，具备雪崩耐量（UIS），适合硬开关及部分软开关应用。设计时需注意PCB散热、栅极驱动优化（避免振荡）及米勒钳位防护，以充分发挥其高速、低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 6ns/40ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 108A |
| 描述 | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 23nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGB30N6S2DT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 100µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FGB30N6S2DT_NL |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 46ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 45A |
| 输入类型 | 标准 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FGB30N6S2DT 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商