图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FGB30N6S2D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB30N6S2D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB30N6S2D价格参考。Fairchild SemiconductorFGB30N6S2D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGB30N6S2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGB30N6S2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGB30N6S2D 是 Fairchild（现属onsemi）推出的650V、30A高性能IGBT单管，内置快速恢复反并联二极管（D系列），采用TO-247封装。其典型应用场景包括： 1. 工业变频器与电机驱动：适用于中小功率（如0.75–3kW）三相逆变模块，驱动风机、水泵、压缩机等交流电机，凭借低导通压降（VCE(sat)≈1.8V @ IC=30A）和优化的开关特性，兼顾效率与温升。 2. 感应加热电源：在20–50kHz中频段工作稳定，内置二极管可满足谐振回路续流需求，减少外部器件数量，提升系统可靠性。 3. 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：用于DC-AC逆变级，支持高频硬开关，具备良好的短路耐受能力（10μs），满足IEC 62109等安全标准要求。 4. 电磁炉与大功率开关电源：替代传统MOSFET，在更高电压/电流下实现更低损耗，提升能效（符合能源之星或一级能效要求）。 该器件强调“单管”结构（非模块），便于灵活布局与散热设计，适用于需自主拓扑定制的中高功率电力电子设备。注意：实际应用中需配合合理驱动（推荐15V±10%栅极电压）、RC缓冲电路及热管理措施，以充分发挥性能并确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 6ns/40ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 108A |
| 描述 | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 23nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGB30N6S2D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 100µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FGB30N6S2D_NL |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 46ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 45A |
| 输入类型 | 标准 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FGB30N6S2D 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商