【未分类_FF450R12ME4】封装/厂家_FF450R12ME4中文资料_价格

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型号： FF450R12ME4
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FF450R12ME4由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FF450R12ME4价格参考。InfineonFF450R12ME4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FF450R12ME4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FF450R12ME4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FF450R12ME4是英飞凌（Infineon Technologies）推出的1200V、450A高性能压接式（Press-fit）IGBT模块（含反并联二极管），属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别（实际为单通道半桥封装，但常用于单开关拓扑）。其典型应用场景包括：

- 工业变频驱动：广泛用于大功率电机驱动系统（如起重机、轧机、压缩机），得益于低导通损耗（VCE(sat) ≈ 1.75V）和优异的开关特性，可提升能效与动态响应。

- 新能源发电：在光伏逆变器（集中式/组串式）和风力发电变流器中，作为主功率开关，支持高直流母线电压（1200V）及高温（Tvj op ≤ 150°C）可靠运行。

- 不间断电源（UPS）与储能变流器（PCS）：适用于三相逆变/整流级，满足高可靠性、低谐波与快速过载保护需求；压接式封装增强散热与抗振动能力，适合严苛工控环境。

- 牵引与电传动系统：如轨道交通辅助变流器、电动船舶推进系统等，受益于模块内置NTC温度传感器与优化的短路耐受时间（tSC ≈ 3–5μs）。

该模块采用EDT2代芯片技术，具备软开关特性、低EMI和高鲁棒性，需配合优化的驱动电路（如15–18V正向驱动、–8V关断）及高效散热设计（推荐强制风冷或液冷）以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	IGBT 模块 IGBT 1200V 450A
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FF450R12ME4
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	FF450R12ME4
产品	IGBT Silicon Modules
产品种类	IGBT 模块
功率耗散	2250 W
商标	Infineon Technologies
在25C的连续集电极电流	675 A
安装风格	Screw
工厂包装数量	10
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V