【未分类_FF150R12ME3G】封装/厂家_FF150R12ME3G中文资料_价格

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型号： FF150R12ME3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FF150R12ME3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FF150R12ME3G价格参考。InfineonFF150R12ME3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FF150R12ME3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FF150R12ME3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FF150R12ME3G是英飞凌（Infineon Technologies）推出的1200V/150A IGBT模块，采用第三代EDT3（Emitter Controlled 3）芯片技术与压接式封装（EasyPACK™ 2B），具备低导通损耗、软开关特性及优异的短路耐受能力（典型值10μs）。其典型应用场景包括：

- 工业变频驱动：用于中大功率电机控制（如泵、风机、压缩机），尤其适用于对能效和可靠性要求高的OEM设备；  
- 可再生能源系统：作为光伏逆变器（集中式或组串式）和风电变流器中的主功率开关，支持高效MPPT跟踪与电网同步；  
- 不间断电源（UPS）：在三相在线式UPS的逆变输出级，提供高动态响应与低谐波失真；  
- 电焊设备与感应加热电源：满足高频、高di/dt工况下的稳定开关需求；  
- 轨道交通辅助变流器：适用于轻轨车辆辅助供电系统等中等功率等级应用。

该模块集成NTC温度传感器，便于过热保护与闭环热管理；符合工业级可靠性标准（如IEC 60747），支持-40℃~150℃结温范围，适合严苛环境。需配合优化的驱动电路（推荐使用英飞凌1ED系列隔离栅极驱动IC）及低感母排设计以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品系列	晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FF150R12ME3G
产品型号	FF150R12ME3G
产品	IGBT Silicon Modules
产品种类	IGBT 模块
功率耗散	695 W
商标	Infineon Technologies
在25C的连续集电极电流	200 A
安装风格	Screw
封装/箱体	EconoDUAL-3
工厂包装数量	12
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 40 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	1.7 V