【未分类_FDZ663P】封装/厂家_FDZ663P中文资料_价格

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型号： FDZ663P
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ663P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ663P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ663P封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDZ663P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ663P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDZ663P 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-223封装，典型参数包括：VDS = –60 V，ID = –3.5 A（连续），RDS(on) ≈ 120 mΩ（@ VGS = –10 V），具备低栅极电荷与快速开关特性。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：常用于DC-DC转换器（如Buck降压电路）的同步整流或高边开关，尤其适用于中低压、中电流的负载开关设计；  
2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备（如POS机、工业手持终端、智能电表）中实现电池供电与适配器供电之间的自动切换或过流保护；  
3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵）的H桥高边控制或单向驱动；  
4. LED驱动与背光控制：作为恒流源的电流调节开关或LED串的PWM调光开关；  
5. 工业控制接口：在PLC模块、传感器接口板中用作逻辑电平转换或继电器替代的固态开关，提升可靠性与响应速度。

该器件具有内置ESD保护和雪崩耐受能力，适合对尺寸、效率及可靠性有一定要求的中功率嵌入式系统。需注意其P沟道特性，驱动时通常采用低侧N-MOSFET或专用驱动器提供负压关断，以确保充分导通。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSPMOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 2.7 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ663PPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDZ663P
Pd-PowerDissipation	1.3 W
Pd-功率耗散	1.3 W
RdsOn-漏源导通电阻	134 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	525pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	8.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	134 毫欧 @ 2A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	4-WLCSP
其它名称	FDZ663PDKR
功率-最大值	400mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	67 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	134 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	4-XFBGA
封装/箱体	WLCSP-4 0.8x0.8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	- 20 V
漏极连续电流	- 2.7 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.7A （Ta）
系列	FDZ663P