图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ4670由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ4670价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ4670封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ4670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ4670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ4670 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SOT-223封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约45 mΩ @ Vgs=10V,65 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度和良好的热稳定性。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:常用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于12V输入、3.3V/5V/12V输出的中小功率电源模块(如通信设备、工业控制板卡); 2. 负载开关与电源管理:在便携式设备、智能电表、PLC模块中用作高效、低静态电流的电源通断控制(如USB供电路径管理、外设供电使能); 3. 电机驱动:适用于小功率直流有刷电机(<1A连续电流)的H桥下臂或单向驱动,常见于风扇控制、小型执行器等; 4. LED驱动与背光控制:作为PWM调光开关,驱动中低电流LED串(如显示面板背光、状态指示灯); 5. 电池保护与充放电管理:在简易电池包或充电电路中作充放电通路开关(需配合保护IC使用)。 该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),兼容MCU(如STM32、ESP32)GPIO直接驱动,简化外围电路设计;SOT-223封装具备较好散热能力,适合空间受限但需一定功率处理能力的应用。注意:最大漏源电压为60V,连续漏极电流为3.5A(Tc=25°C),设计时需考虑温升与PCB铜箔散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDZ4670 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3540pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | 20-FLFBGA(3.5x4.0) |
| 其它名称 | FDZ4670DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 20-FLFBGA(30 位置) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Ta) |