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  • 型号: FDZ4670
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ4670由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ4670价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ4670封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ4670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ4670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDZ4670 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SOT-223封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约45 mΩ @ Vgs=10V,65 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度和良好的热稳定性。其典型应用场景包括:

1. DC-DC电源转换:常用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于12V输入、3.3V/5V/12V输出的中小功率电源模块(如通信设备、工业控制板卡);

2. 负载开关与电源管理:在便携式设备、智能电表、PLC模块中用作高效、低静态电流的电源通断控制(如USB供电路径管理、外设供电使能);

3. 电机驱动:适用于小功率直流有刷电机(<1A连续电流)的H桥下臂或单向驱动,常见于风扇控制、小型执行器等;

4. LED驱动与背光控制:作为PWM调光开关,驱动中低电流LED串(如显示面板背光、状态指示灯);

5. 电池保护与充放电管理:在简易电池包或充电电路中作充放电通路开关(需配合保护IC使用)。

该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),兼容MCU(如STM32、ESP32)GPIO直接驱动,简化外围电路设计;SOT-223封装具备较好散热能力,适合空间受限但需一定功率处理能力的应用。注意:最大漏源电压为60V,连续漏极电流为3.5A(Tc=25°C),设计时需考虑温升与PCB铜箔散热。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FDZ4670

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3540pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

20-FLFBGA(3.5x4.0)

其它名称

FDZ4670DKR

功率-最大值

1.25W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

20-FLFBGA(30 位置)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Ta)

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