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- 型号： FDZ372NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ372NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ372NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ372NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ372NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ372NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ372NZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）及小尺寸优势。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动，得益于SOT-23小封装和低功耗特性； 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中作为高效整流开关，提升转换效率； 3. 电机驱动与负载控制：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）、电磁阀或继电器驱动等中小电流（连续ID ≤ 3.6 A，脉冲ID ≤ 10 A）开关应用； 4. 热插拔与电源排序电路：利用其快速开关特性实现上电时序控制或过流保护； 5. LED恒流驱动与调光控制：配合PWM信号实现高精度亮度调节。 该器件工作电压范围为-20 V（VGS），耐压VDS = 20 V，适用于低压（≤12 V）系统，不适用于高压或大功率场景。设计时需注意PCB散热（SOT-23热阻较高）及栅极驱动稳定性（避免振荡）。综上，FDZ372NZ主要面向空间受限、中低电流、高能效要求的消费类与工业嵌入式电源开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLCMOSFET 20V N-Channel 1.5V PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ372NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDZ372NZ |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 685pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-WLCSP（1x1） |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 68 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，WLCSP |
| 封装/箱体 | WLCSP-4 1x1 Thin |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Ta） |
| 系列 | FDZ372NZ |
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