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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDW264P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW264P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW264P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW264P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW264P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW264P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW264P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用双芯片（Dual-Die）、SO-8 封装，实际为两个独立的 P 沟道 MOSFET 集成于单封装内（注意：虽常被归类为“MOSFET - 单个”，但严格而言 FDW264P 是双通道器件；其数据手册明确标注为 “Dual P-Channel”）。因此，它不适用于单管开关场景，而专为空间受限、需双路同步控制的低侧或高侧开关应用设计。 典型应用场景包括： ✅ 电源管理：笔记本电脑/平板电脑中的双路负载开关（如主电源与待机电源隔离）、电池充放电路径控制； ✅ DC-DC 转换器：同步降压（Buck）转换器的高边/低边驱动辅助电路，或双相输出的并联功率级； ✅ 热插拔与电子保险丝（eFuse）：双通道过流保护与电源排序控制； ✅ 电机驱动：小型直流有刷电机的H桥半桥驱动（配合N沟道器件使用）； ✅ LED背光驱动：双路独立调光控制或冗余供电切换。 其关键优势在于：逻辑电平驱动（VGS(th) ≤ –1.5 V），可直接由3.3 V或5 V MCU GPIO驱动；低导通电阻（RDS(on) ≈ 42 mΩ @ VGS = –4.5 V），提升效率；SO-8封装节省PCB面积。需注意：使用时须分别独立控制两路栅极，并确保散热设计满足功耗要求。 （注：若系统仅需单路MOSFET，建议选用FDW2504P等真正单通道型号，避免资源浪费。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW264P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7225pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta） |
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