Datasheet下载- 型号： FDU8586
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8586由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8586价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8586封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8586参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8586 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8586 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用紧凑的 3×3 mm² 小尺寸 WDFN-8 封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A）及优异的热性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小散热需求； 2. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、SSD等便携设备中用作高效主电源开关或电池保护电路中的充放电控制开关； 3. 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的H桥下管，尤其适合空间受限的风扇、无人机电调模块； 4. LED 驱动与照明电源：作为恒流调节或PWM调光开关，支持高频率开关（fSW 可达数百kHz），降低系统损耗； 5. 热插拔与电子保险丝（eFuse）：凭借快速开关响应和过流保护兼容性，用于板级电源轨的浪涌抑制与故障隔离。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 1.8 V），可直接由 MCU 或 PWM 控制器驱动，同时具备雪崩耐量（UIS rated），增强系统鲁棒性。其无铅、符合 RoHS 的封装也适配自动化贴装产线。综上，FDU8586 主要面向高密度、高能效、中等功率（通常≤100W）的嵌入式电源与功率控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8586 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 77W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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