Datasheet下载- 型号： FDU7030BL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU7030BL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU7030BL价格参考。Fairchild SemiconductorFDU7030BL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU7030BL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU7030BL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU7030BL 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的SOT-23-6L封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 30 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）和高开关效率，适用于空间受限、中低功率的DC-DC转换与负载开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的电池保护电路、USB接口过流/反向保护及负载开关； ✅ DC-DC同步整流：在降压（Buck）转换器中作为下管（low-side switch），提升转换效率（尤其在1–5 A负载范围内）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED串的PWM调光开关，响应快、功耗低； ✅ 电机驱动辅助开关：在小型直流有刷电机（如微型风扇、振动马达）的H桥或单路驱动中承担逻辑级开关功能； ✅ 热插拔与电源排序电路：配合控制器实现受控上电/断电，防止浪涌电流。 其30 V耐压、±20 V栅源电压范围及-55°C~+150°C工作温度，兼顾消费类与工业级可靠性需求。需注意：SOT-23-6L散热能力有限，建议PCB设计时加大铜箔面积并避免持续大电流（推荐连续ID ≤ 3.5 A，脉冲ID ≤ 10 A）。不适用于高功率（如>10 W）或高压（>30 V）主开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU7030BL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1425pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 56A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDU7030BL 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商