Datasheet下载- 型号： FDS7064N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS7064N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS7064N价格参考。Fairchild SemiconductorFDS7064N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS7064N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS7064N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS7064N 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅22 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和良好的热稳定性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、显卡供电、通信设备板载电源等中等功率（≤30W）场合。 - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、IoT终端）中用作电池供电路径控制、USB端口过流保护或系统级电源使能开关，支持快速关断与低静态功耗。 - 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或单向驱动电路中的功率开关，配合栅极驱动IC实现高效PWM调速。 - LED驱动与背光控制：在LCD背光恒流驱动电路中作为电流调节开关，或用于RGB LED动态调光控制。 该器件具备100% Rg测试、无铅且符合RoHS标准，工作结温范围为–55°C至+175°C，适合空间受限、需兼顾效率与可靠性的工业及消费类电子应用。注意：实际设计中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、添加适当栅极电阻及散热措施，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS7064N |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3355pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 16A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS7064NDKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
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