Datasheet下载- 型号： FDS7060N7
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS7060N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS7060N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS7060N7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS7060N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS7060N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS7060N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V；典型值15 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID = 11 A连续，30 A脉冲）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、服务器主板、通信设备等中高功率、高效率电源模块。 - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS机、工业HMI）中作为电池供电路径控制、热插拔保护或系统电源域隔离开关，支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU GPIO）。 - 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机（如风扇、微型泵、打印机进纸机构）的H桥或单路驱动，兼顾效率与散热性能。 - LED驱动与背光控制：用于大电流LED恒流驱动电路中的PWM调光开关，或LCD背光升压电路的同步整流开关。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护，适合空间受限且需兼顾性能与成本的中功率应用。注意：实际设计中需配合合理PCB布局、栅极驱动优化及散热措施（如敷铜面积≥2 cm²），以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS7060N7 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3274pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS7060N7DKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta） |
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