Datasheet下载- 型号： FDS6688AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6688AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6688AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6688AS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6688AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6688AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6688AS 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅14mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（Id连续达12A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管，尤其适用于笔记本电脑、主板VRM、通信设备电源模块等中高功率密度场合，提升效率并减小发热。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS机）中作为高效、低损耗的主电源开关或背光/USB供电控制开关，支持逻辑电平驱动（3.3V/5V），简化驱动电路设计。 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机进纸机构）的H桥或单向驱动电路，提供可靠开关与过流保护能力。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、电池保护电路中的充放电MOSFET开关，具备良好的热稳定性和雪崩耐受能力。 该器件集成ESD保护，符合AEC-Q101（部分批次），亦可用于工业级及部分车规辅助系统（非安全关键）。需注意其双通道结构支持半桥配置，但须合理布局以避免交叉导通与热耦合问题。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14.5A SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6688AS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2510pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS6688ASDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.5A （Ta） |
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