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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDR8702H
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR8702H由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR8702H价格参考。Fairchild SemiconductorFDR8702H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR8702H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR8702H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSC（Fairchild Semiconductor，现属ONSEMI）的FDR8702H是一款双N沟道增强型MOSFET阵列（Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET），采用SOP-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约25mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和优良热稳定性。 其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板级电源管理； 2. 负载开关与电源路径管理：利用双MOSFET结构实现主备电源自动切换、USB供电控制或电池充放电路径隔离； 3. 电机驱动电路：在小型直流有刷电机（如风扇、打印机步进驱动辅助电路）中作为H桥半边或逻辑电平驱动级； 4. LED背光/照明驱动：用于PWM调光控制中的高速开关通路； 5. 接口保护与热插拔电路：配合限流检测实现过流保护与软启动功能。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V），具备ESD防护及雪崩耐量，适合空间受限、高能效要求的中低功率（<3A连续电流）嵌入式系统。注意实际应用中需合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动阻抗，以保障开关性能与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR8702H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A，2.6A |
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