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- 型号： FDR844P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR844P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR844P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR844P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR844P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR844P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR844P 是一款由 Fairchild（现属onsemi）生产的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 55 mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）和额定电压–30 V、连续漏极电流–4.8 A（Ta=25°C）等特性。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理中的负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、蓝牙模块）的电源通断控制，利用其低功耗、小尺寸及逻辑电平兼容性（–1.8V 阈值电压），可由 MCU GPIO 直接驱动，实现高效、快速的电源启停。 ✅ 反向电压/极性保护电路：作为“理想二极管”替代肖特基二极管，降低压降与功耗（典型导通压降仅约 –0.25V @ –2A），提升电池供电系统效率。 ✅ DC-DC 转换器同步整流（次级侧）：在小型升压/降压模块中辅助提升转换效率（尤其在低压大电流输出场景）。 ✅ H桥或半桥驱动中的高边/低边开关：适用于微型电机驱动、LED 调光、USB 接口过流保护等空间受限的嵌入式系统。 注意：因 SOT-23 封装散热能力有限，不适用于持续大电流或高功率场合；设计时需确保 PCB 散热焊盘充分，并注意栅极驱动稳定性（避免振荡）。 综上，FDR844P 主要面向紧凑型、电池供电、中低功率的智能终端与消费电子产品的电源控制与保护应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR844P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4951pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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