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产品简介:
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FDR8308P 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列,采用紧凑的SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为25mΩ @ Vgs = –4.5V)、逻辑电平驱动(–1.8V阈值电压)及集成ESD保护等特性。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、TWS耳机)中的负载开关或电源路径管理,实现电池供电与USB/适配器供电间的智能切换与反向电流阻断。 2. 电池保护电路:在单节锂离子/聚合物电池系统中,配合保护IC构成充放电双向保护,利用双P-MOSFET结构实现高边充放电控制与过流/短路保护。 3. 热插拔与电源排序:适用于多电源域系统(如工业控制板、网络设备),提供受控上电时序与浪涌电流抑制。 4. H桥驱动辅助电路:虽非主功率器件,但可作为P侧同步整流或死区控制辅助开关,提升效率与可靠性。 5. LED背光/RGB驱动电源开关:用于LCD/OLED显示模块的区域调光控制,实现快速、低功耗的电源启停。 该器件无需外部驱动电路,兼容3.3V/5V逻辑电平,具备良好的热性能与抗干扰能力,适用于空间受限、高能效要求的中低功率(≤2A连续电流)DC-DC应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.2A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR8308P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 其它名称 | FDR8308PDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT,SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A |