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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN5632N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN5632N价格参考。Fairchild SemiconductorFDN5632N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDN5632N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN5632N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN5632N 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列,采用SOT-23-6封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 40 mΩ @ VGS = 4.5 V)、高开关速度和紧凑尺寸等优势。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动,双MOSFET结构可分别控制不同供电支路,节省PCB空间。 2. DC-DC转换器与同步整流:在小型升压/降压模块中用作同步整流开关,提升转换效率(尤其在1–5 A中低电流场景),降低发热。 3. 电机驱动与负载控制:适用于微型直流电机(如风扇、振动马达)的H桥驱动或单向PWM调速,双管便于构建半桥或独立负载开关。 4. 接口电平转换与信号切换:在I²C、USB等总线隔离或电源域切换中,作为双向电平移位器或热插拔保护开关。 5. LED驱动与背光控制:用于多路LED串的独立使能控制,支持脉宽调光(PWM dimming)。 该器件额定电压30 V、连续漏极电流达2.5 A(Ta=25°C),内置ESD保护,适合空间受限、需高集成度与可靠性的中低功率应用。注意设计时需合理布局散热路径并确保栅极驱动电压稳定(推荐VGS ≥ 4.5 V以充分导通)。