Datasheet下载- 型号： FDN372S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN372S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN372S价格参考。Fairchild SemiconductorFDN372S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN372S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN372S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN372S 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-23封装（尺寸仅约3.0×1.4×1.0 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 150 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为–30 V，连续漏极电流为–2.2 A（TA = 25°C），适合低压、小功率应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低功耗与小尺寸优势实现高效启停控制； ✅ DC-DC转换器的同步整流或高端开关：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为P-MOSFET用于高边驱动，简化驱动设计（无需自举电路）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED串的调光/使能控制，支持PWM频率达数百kHz； ✅ 接口与I/O保护电路：如USB端口、SIM卡槽的过流/反向电压防护，配合限流电阻实现低成本热插拔保护； ✅ 电机驱动辅助电路：在微型直流电机或振动马达的H桥外围用作逻辑电平转换或方向使能开关。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），符合AEC-Q101（车规级）标准，亦可用于车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的工业与汽车电子子系统中。其SOT-23封装兼容自动化贴片生产，显著节省PCB空间，是高集成度、低功耗设计的理想选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDN372S |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
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