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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN3401由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN3401价格参考。Fairchild SemiconductorFDN3401封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDN3401参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN3401 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN3401 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用超小型 SOT-23 表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 55 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 4.5 nC)和快速开关特性。其额定电压为 −30 V,连续漏极电流为 −2.5 A(TA = 25°C),适合低压、中低功率应用。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机中的负载开关或电池保护电路,利用其低功耗与小尺寸实现高效启停控制; ✅ DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为高边或低边开关,提升转换效率; ✅ LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的调光与通断控制,响应快、驱动简单; ✅ H 桥电机驱动:常与 N 沟道 MOSFET(如 FDN337N)搭配组成半桥,驱动微型直流电机(如风扇、振动马达); ✅ 逻辑电平兼容接口电路:支持 2.5 V/3.3 V/5 V 栅极驱动,可直接由 MCU 或 FPGA IO 控制,无需额外电平转换或驱动芯片。 因其 SOT-23 封装、无铅且符合 RoHS,也广泛用于空间受限的消费类与工业控制板卡中。需注意:P 沟道特性使其适用于高边开关(源极接电源),设计时应确保栅极驱动电压足够负于源极以充分导通。