Datasheet下载- 型号： FDMJ1023PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMJ1023PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMJ1023PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMJ1023PZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMJ1023PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMJ1023PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMJ1023PZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用紧凑的SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为180mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用其双P-MOSFET结构实现高效反向阻断与低功耗待机； • 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池应用中，配合保护IC实现充放电回路的双向隔离与过流/短路保护； • LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的背光调光或区域关断，支持PWM高频开关； • 接口电平转换与信号切换：在低电压（1.8V–5V）系统中作为双向逻辑电平移位器或I²C/SPI总线隔离开关； • 空间受限的DC-DC辅助电路：如同步降压转换器的高侧驱动（需搭配外部N-MOSFET）或LDO使能控制。 该器件无内置体二极管并联设计（独立漏源结构），支持灵活布线；符合AEC-Q101可靠性标准（部分批次），亦适用于工业级便携设备。需注意其最大Vds为–20V，不适用于高压场景，且须确保栅极驱动电压满足|Vgs| ≥ 4.5V以充分导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.9A SC75 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDMJ1023PZ |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 112 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75， MicroFET |
| 其它名称 | FDMJ1023PZDKR |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
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