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- 型号： FDMC8010A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8010A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8010A价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8010A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMC8010A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8010A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8010A 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道PowerTrench® MOSFET阵列，采用紧凑的6引脚Power56封装（3.3 mm × 3.3 mm），集成两个匹配、低导通电阻（RDS(on)典型值仅12 mΩ @ VGS = 10 V）的增强型MOSFET，具备共源极结构与优化的栅极电荷（Qg ≈ 14 nC），支持高效同步整流与快速开关。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的同步降压（Buck）转换器，作为高边/低边开关或双相并联输出级，提升效率与功率密度； ✅ 负载开关与电源管理：在多路供电系统中实现精准的上电时序控制、热插拔保护及动态电源分配（如GPU/CPU核心供电）； ✅ 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）的H桥半桥驱动，或RGB LED背光的PWM调光控制； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电路径控制与均衡开关，得益于低RDS(on)和高可靠性。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 1–2.5 V），兼容3.3 V/5 V MCU，内置ESD防护，工作结温达150°C，兼具高性能与高集成度，特别适合空间受限、高能效要求的便携式与工业电源应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8010A |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| Qg-栅极电荷 | 67 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 188 S |
| 系列 | FDMC8010 |
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