Datasheet下载- 型号： FDJ129P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ129P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ129P价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ129P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ129P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ129P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ129P 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23小外形封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及额定电压−20 V、连续漏极电流−2.9 A（TA = 25°C）。其紧凑尺寸与低功耗特性，使其广泛应用于空间受限、中低功率的便携式电子设备中。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关：用于USB供电路径管理、电池供电系统中的电源通断控制（如为Wi-Fi模块、传感器等外设按需上电/断电），利用其低RDS(on)和快速开关特性实现高效、低损耗开关； ✅ 反向电压保护（Reverse Voltage Protection）：在单节锂电（如3.0–4.2 V）供电系统中，以P-MOSFET“背对背”或单管配置实现防反接保护，防止电源反接损坏后级电路； ✅ DC-DC转换器同步整流：在低压降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其在轻载或高效率要求场合），提升转换效率； ✅ 逻辑电平接口驱动：兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动（VGS(th)典型值−0.7 V），适用于I/O扩展、LED背光控制、小型继电器/蜂鸣器驱动等。 注：因SOT-23封装散热能力有限，不适用于持续大电流或高功率场景；设计时需注意PCB铜箔散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ129P |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | FDJ129PDKR |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDJ129P 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商