Datasheet下载- 型号： FDJ128N_F077
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ128N_F077由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ128N_F077价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ128N_F077封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ128N_F077参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ128N_F077 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ128N_F077 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.28Ω @ Vgs=10V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为60V，连续漏极电流ID为0.2A（Tc=25°C），适用于低功耗、空间受限的便携式电子场景。 典型应用场景包括： - 电池供电设备中的负载开关：如TWS耳机、智能手环、无线传感器节点等，用于控制外围模块（如LED、传感器、RF芯片）的供电通断，实现低静态功耗与快速响应； - DC-DC转换器次级侧同步整流（在微型升/降压电路中）； - LED驱动电路中的PWM调光开关； - 逻辑电平接口与电平转换电路，兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动（因Vgs(th)较低，典型1.0–2.5V）； - 过流保护与电子保险丝（eFuse）功能模块中的检测/开关元件。 需注意：该器件为小信号/中功率MOSFET，不适用于大电流或高功率主开关应用（如电机驱动、AC-DC主功率级）。设计时应关注PCB散热、栅极驱动稳定性及ESD防护（SOT-23封装静电敏感度较高）。 综上，FDJ128N_F077 主要面向高集成度、低功耗、小尺寸的消费类与物联网终端产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ128N_F077 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 543pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Ta） |
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