Datasheet下载- 型号： FDJ1032C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ1032C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ1032C价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ1032C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ1032C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ1032C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ1032C 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4Ω @ VGS=4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、相机闪光灯控制、USB接口电源开关等，利用其双MOSFET结构实现紧凑的双向/多路负载开关设计。 - 负载切换与电源路径管理：在电池供电系统中用作主/辅电源自动切换（如USB充电时优先供电、断开电池放电路径），或为不同功能模块（如传感器、无线模块）提供独立、受控的上电/断电控制，提升能效与系统可靠性。 - 逻辑电平转换与信号门控：配合微控制器GPIO驱动小功率外设（如蜂鸣器、指示灯、小电机），实现电平兼容（1.8V/3.3V逻辑控制）和电流隔离。 - DC-DC转换辅助电路：在同步降压转换器中作为自举电路开关或辅助驱动级；亦可用于反激式电源的初级侧检测/保护回路。 该器件集成度高、尺寸小、功耗低，适用于对空间和功耗敏感的消费类及工业IoT终端。需注意其额定电压（30V）、连续漏极电流（±280mA）及热限制，设计时应合理布局散热并确保栅极驱动稳定。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ1032C |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A，2.8A |
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