Datasheet下载- 型号： FDI8441_F085
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI8441_F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI8441_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDI8441_F085封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI8441_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI8441_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI8441_F085 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减小电路体积； 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，提供快速开关和低损耗； 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，用于高效能电池充放电管理； 4. LED照明：作为恒流驱动开关，实现高稳定性和高效率； 5. 工业控制：用于PLC、继电器替代和自动化控制电路中的高边或低边开关； 6. 消费电子产品：如智能家电、充电器和电源适配器中，用于提高系统能效和可靠性。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于需要高效、小型化设计的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI8441_F085 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 280nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262AB |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Ta）， 80A （Tc） |
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