Datasheet下载- 型号： FDI8441
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI8441由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI8441价格参考。Fairchild SemiconductorFDI8441封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI8441参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI8441 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI8441 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率管理的场景中。 FDI8441的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路中，提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中，用于电源开关和功率调节，延长电池续航时间。 3. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 4. 工业自动化：用于PLC、传感器模块、工业电源等设备中，提升系统稳定性和能效。 5. 汽车电子：如车载充电器、LED照明、电动工具等应用中，满足汽车环境中对可靠性和效率的高要求。 总之，FDI8441适用于需要高效、低功耗、小尺寸封装的功率MOSFET应用场合，尤其适合对空间和能效有较高要求的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDI8441 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 280nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Ta）， 80A （Tc） |
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